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晶圓(wafer) 是制造半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)性原材料。 高純度的半導(dǎo)體經(jīng)過拉晶、切片等工序制備成為晶圓，晶圓經(jīng)過一系列半導(dǎo)體制造工藝形成微小的電路結(jié)構(gòu)，再經(jīng)切割、封裝、測試成為芯片，廣泛應(yīng)用到各類電子設(shè)備當(dāng)中。 晶圓材料經(jīng)歷了 60 余年的技術(shù)演進(jìn)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展，形成了當(dāng)今以硅為主、 新型半導(dǎo)體材料為補(bǔ)充的產(chǎn)業(yè)局面。

　　20 世紀(jì) 50 年代，鍺(Ge)是z早采用的半導(dǎo)體材料，z先用于分立器件中。集成電路的產(chǎn)生是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向前邁進(jìn)的重要一步， 1958 年 7 月，在德克薩斯州達(dá)拉斯市的德州儀器公司，杰克·基爾比制造的第yi塊集成電路是采用一片鍺半導(dǎo)體材料作為襯底制造的。　　但是鍺器件的耐高溫和抗輻射性能存在短板，到 60 年代后期逐漸被硅(Si) 器件取代。 硅儲(chǔ)量其豐富，提純與結(jié)晶工藝成熟， 并且氧化形成的二氧化硅(SiO2)薄膜絕緣性能好，使得器件的穩(wěn)定性與可靠性大為提高， 因而硅已經(jīng)成為應(yīng)用z廣的一種半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體器件產(chǎn)值來看，全球 95%以上的半導(dǎo)體器件和 99%以上的集成電路采用硅作為襯底材料。

　　在半導(dǎo)體工業(yè)中，對(duì)于晶圓表面的缺陷檢測，一般要求高效準(zhǔn)確，能夠快速有效地捕捉缺陷。對(duì)于晶圓表面缺陷的檢測，z早主要是采用顯微鏡目檢。隨著技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體工藝制程由90nm發(fā)展為14nm，用目檢的方式進(jìn)行圖形缺陷檢測己經(jīng)無法滿足目前精度的需求，并且晶圓表面缺陷的數(shù)據(jù)越來越多，靠人力進(jìn)行檢查已越來越力不從心。目前使用較為廣泛的基于圖像處理的晶圓表面缺陷檢測方法，通過工業(yè)相機(jī)采集一張完整的待測晶圓圖像，再進(jìn)行處理。


　　無錫市精質(zhì)是專業(yè)的晶圓檢測設(shè)備廠商成立16年來，一直致力于圖像技術(shù)及機(jī)器視覺技術(shù)的研發(fā)和制造，具有多年的軟件設(shè)計(jì)，視覺及圖像比對(duì)技術(shù)，工業(yè)自動(dòng)化等方面成熟經(jīng)驗(yàn)。主要針對(duì)3D機(jī)器視覺系統(tǒng)，3D建模應(yīng)用軟件進(jìn)行研發(fā)，所研發(fā)制造的機(jī)器視覺系統(tǒng)得到很多國際知名企業(yè)實(shí)際運(yùn)用。